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雪崩二極管內置器件與靜電毀壞原因

發布時間：2019-08-05 15:06:42
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雪崩二極管

第一種：雪崩毀壞

假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且到達擊穿電壓V(BR)DSS （依據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發作毀壞的現象。在介質負載的開關運轉斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而招致毀壞的形式會惹起雪崩毀壞。典型電路：
雪崩二極管

第二種：器件發熱損壞

由超出安全區域惹起發熱而招致的。發熱的緣由分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率緣由：外加直流功率而招致的損耗惹起的發熱

●導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，招致一定電流下，功耗增加）

●由漏電流IDSS惹起的損耗（和其他損耗相比極小）瞬態功率緣由：外加單觸發脈沖

●負載短路

●開關損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關的）

●內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關的）器件正常運轉時不發作的負載短路等惹起的過電流，形成瞬時部分發熱而招致毀壞。

另外，由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續的發熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
雪崩二極管

第三種：內置二極管毀壞

在DS端間構成的寄生二極管運轉時，由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運轉，招致此二極管毀壞的形式。
雪崩二極管

第四種：由寄生振蕩導致的毀壞

此毀壞方式在并聯時特別容易發作在并聯功率MOSFET時未插入柵極電阻而直接銜接時發作的柵極寄生振蕩。高速重復接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg構成的諧振電路上發作此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓招致柵極毀壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓經過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形堆疊招致正向反應，因而可能會由于誤動作惹起振蕩毀壞。
雪崩二極管